Az Intel már 2002-ben bejelentette, hogy cége a félvezetőiparban elterjedt planáris, azaz sík tranzisztorok helyett 3D megoldások fejlesztésébe kezdett, melyek nem csak kompaktabb kialakításúak lehetnek, de a fogyasztás csökkentése mellett gyorsabb működéssel is kecsegtetnek. A chipgyártó óriás legfrissebb közleménye szerint az elmélet végül a gyakorlatba is átültetésre került, melyben a legnagyobb kihívást a sorozatgyártás megtervezése jelentette, hiszen az első prototípusok már évekkel ezelőtt elkészültek. A 22 nanométeres csíkszélességű eljárással gyártott 3D tranzisztorok a 32 nanométeres eljárással készített planáris megoldásoknál 50 százalékkal is kisebb területűek lehetnek, miközben az alacsonyabb szivárgási áramnak köszönhetően a belőlük építkező chipek fogyasztása akár 30–40 százalékkal is alacsonyabb lehet.
Az új tranzisztorok azonos fogyasztás mellett akár 37 százalékkal is gyorsabban üzemelhetnek, illetve azonos sebesség mellett fele annyit fogyasztanak. Az Intel állítása szerint az új technológia a 2012-ben debütáló Ivy Bridge kódnevű processzorban debütálhat, melyet követően a mobiltelefonokba és internettáblákba szánt Atom processzorokban is elérhető lesz. A következő jelentős változás a gyártó szóvivője szerint 2014-ben várható a 14 nanométeres gyártástechnológia bevezetésével.
