A Samsung az előző év októberében jelentette be, hogy megkezdték a tömeggyártást a 10 nm-es LPE node-jukon. Ezzel a vállalatnak sikerült elsőként erre a csíkszélességre lépnie, és azóta hivatalosan is elismerték, hogy a Snapdragon 835-ös SoC volt az első 10 nm-es node-on gyártott lapka. A bérgyártót eredetileg a Qualcomm titkolta, de tulajdonképpen mindenki sejtette, hogy a Samsungról van szó, így ez is egy iparági szinten rosszul őrzött titoknak minősült.
A Samsung most előállt egy új bejelentéssel, melyben azt taglalják, hogy elkezdték a továbbfejlesztett, 10 nm-es LPP node fejlesztésének utolsó fázisát és egyben a tömeggyártáshoz szükséges alapok kiépítését. Az új node-hoz tartozó gyártósorok a hvaszongi gyárépületben lesznek üzembe állítva, és az utolsó negyedében már működni is fognak. Sőt, készül legalább egy lapka, ami az új verziójú 10 nm-es FinFET eljárást használja, de erre vonatkozóan sajnos nincs több adat.
A dél-koreai óriáscég egyébként egy kiforrott 10 nm-es node-dal előnybe kerülhet, mivel ilyenre aránylag sok potenciális megrendelő vágyik, és idén rajtuk kívül senki sem kínál majd második generációs verziót a legújabb gyártástechnológiákból. A TSMC tulajdonképpen végig marad az első generációs, CLN10FF kódnevű 10 nm-es FinFET eljárásnál, míg a GlobalFoundries kihagyja a 10 nm-et, hogy a következő év második felére, mindenkinél hamarabb be tudják vezetni a 7 nm-es node-jukat – az IBM-től megszerzett technológiákra építve.
