Küszöbön a gyorsabb RAM és tárolómodulok

Az okostelefonok fluid működéséért jó pár komponens felel, nem csak az SoC-n ketyegő processzor vagy grafikus gyorsító, persze a megfelelő szoftverháttér is rendkívül fontos. A RAM és tároló fejlesztésekről általában kevesebb szó esik, mint a fenti részegységekről, pedig nagy ugrást jelentett például az eMMC 5.1 technológiáról történő átállás az UFS 2.0 / 2.1 típusúakra, amelyek ma a csúcskategória jelentős részét lefedik. A következő ugrást az UFS 3.0-s lapkák felbukkanása jelentheti, és a Qualcomm Hong Kong-i 4G/5G Summit rendezvényén a Samsung részéről Jay Oh kijelentette: a félvezető óriás 128, 256 és 512 GB-os új tárolói már 2019 első felében kiköthetnek az okostelefonokban. 2021-ben megjelenhet az 1 terabájtos modul is, a 3D NAND gyártástechnológiának köszönhetően.

Prezentáció a Hong Kong-i 4G/5G Summit rendezvényén
Prezentáció a Hong Kong-i 4G/5G Summit rendezvényén (forrás: AndroidCentral) [+]

A Samsung szerint akár kétszeres memória sávszélesség növekedésre is számítani lehet a 3.0-s generációval, ami fürgébb alkalmazáskezelést hozhat. A ma széles körben elterjedt LPDDR4 RAM modulokat 2020-ban kezdheti felváltani az LPDDR5 generáció, akár 51,2 GB/s-ra növelve a sávszélességet, 20%-os előrelépés mellett fogyasztásban. Hong Kongban természetesen az 5G volt a központi beszédtéma, és már jövőre megjelenhetnek az első 5G modemmel szerelt mobilkészülékek. Az AndroidCentral szerint a Samsung Exynos lapkáiban házi fejlesztésű modem bukkanhat fel.

Azóta történt

  • Szenzorsziget után kameraluk?

    Bevágás helyett kamerakivágás látszik az Asus Zenfone 6 állítólagos prototípusain, és akár egy Samsung Galaxy is így kávamentesíthet. Vagy nem.

Előzmények

Hirdetés